太阳能组件制作需要哪些材料呢？

1. 玻璃:超白布纹钢化玻璃，厚度3.2mm,在太阳电池光谱响应的波长范围内(320-1100nm)透光率达91%以上，耐太阳能电池组件

紫外光线的辐射，透光率不下降。钢化玻璃作成的组件可以承受直径25毫米的冰球以23米/秒的速度撞击。

2. EVA:厚度为 0. 5mm的优质EVA膜层作为太阳电池的密封剂和与玻璃、TPT之间的连接剂。具有较高的透光率和抗老化能力。

太阳电池封装用的EVA胶膜固化后的性能要求:

透光率大于90%;交联度大于65-85%;剥离强度(N/cm)，玻璃/胶膜大于30;TPT/胶膜大于15;耐温性:高温85℃、低温-40℃。，

3.TPT:太阳电池的背面，耐老化、耐腐蚀、耐紫外线辐射、不透气等基本要求。

4. 边框:所采用的铝合金边框具有高强度，抗机械冲击能力强。组件回收找我们

多晶硅是生产单晶硅回收的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品，目前直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

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