太阳能组件制作需要哪些材料呢？

1. 玻璃:超白布纹钢化玻璃，厚度3.2mm,在太阳电池光谱响应的波长范围内(320-1100nm)透光率达91%以上，耐太阳能电池组件

紫外光线的辐射，透光率不下降。钢化玻璃作成的组件可以承受直径25毫米的冰球以23米/秒的速度撞击。

2. EVA:厚度为 0. 5mm的优质EVA膜层作为太阳电池的密封剂和与玻璃、TPT之间的连接剂。具有较高的透光率和抗老化能力。

太阳电池封装用的EVA胶膜固化后的性能要求:

透光率大于90%;交联度大于65-85%;剥离强度(N/cm)，玻璃/胶膜大于30;TPT/胶膜大于15;耐温性:高温85℃、低温-40℃。，

3.TPT:太阳电池的背面，耐老化、耐腐蚀、耐紫外线辐射、不透气等基本要求。

4. 边框:所采用的铝合金边框具有高强度，抗机械冲击能力强。组件回收找我们

从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品，目前直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

如果释放到环境中，则报废面板中存在有害物质会导致严重的污染和健康问题。为了封闭能源循环中的循环，太阳能电池板行业的下一个任务是处置或回收报废产品。但是，在废物管理体系中，再利用或增值回收，再利用被认为比回收更可取。

典型的晶体硅光伏组件总重量的主要贡献者是玻璃（75％），其次是聚合物（10％），铝（8％），硅（5％），铜（1％）和少量银，锡，铅和其他金属及组件。铅和锡（如果浸入土壤和地下水中会引起健康和环境问题），而铜，银和硅如果得到有效回收，将提供宝贵的机会。因此，填埋场选项应完全由回收替代，以防止环境污染并回收面板中存在的有价值的材料。