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2022-06-11 10:20:01  691次浏览 次浏览
价 格:面议

单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。目前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

单晶硅片主要用于制作半导体元件。

用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

现在,我们的生活中处处可见"硅"的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品,目前直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

如果释放到环境中,则报废面板中存在有害物质会导致严重的污染和健康问题。为了封闭能源循环中的循环,太阳能电池板行业的下一个任务是处置或回收报废产品。但是,在废物管理体系中,再利用或增值回收,再利用被认为比回收更可取。

典型的晶体硅光伏组件总重量的主要贡献者是玻璃(75%),其次是聚合物(10%),铝(8%),硅(5%),铜(1%)和少量银,锡,铅和其他金属及组件。铅和锡(如果浸入土壤和地下水中会引起健康和环境问题),而铜,银和硅如果得到有效回收,将提供宝贵的机会。因此,填埋场选项应完全由回收替代,以防止环境污染并回收面板中存在的有价值的材料。

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